II-VI(001)半导体表面的格子气模型
统计力学
2009-10-31 v1 材料科学
摘要
我们提出了一个描述金属端Terminated II-VI(001)半导体表面的各向异性二维格子气模型。该类材料的重要特性由有效的最近邻(NN)和次近邻(NNN)相互作用表示，导致表面上两种空位结构的竞争。我们证明，CdTe(001)表面可观察到的 c(2x2)-(2x1) 相变可被理解为热平衡下的相变。该模型通过传递矩阵和蒙特卡罗技术进行研究。分析表明，竞争重构之间的微小能量差在很大程度上决定了不同相的性质。讨论了对进一步实验研究的可能意义。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0008017,
title = {A lattice gas model of II-VI(001) semiconductor surfaces},
author = {Michael Biehl and Martin Ahr and Wolfgang Kinzel and Moritz Sokolowski and Thorsten Volkmann},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0008017},
year = {2009}
}
备注
7 pages, 2 figures