金辅助 Ge(100) 表面 Ge 纳米结构的分子束外延生长
介观与纳米尺度物理
2017-11-27 v1 材料科学
摘要
我们报道了在超高真空 (UHV) 条件（约 mbar）下，在洁净 Ge(100) 表面上金辅助的 Ge 纳米结构外延生长。在本研究中，通过分子束外延 (MBE) 在衬底表面生长了约 2.0 nm 厚的 Au 样品。随后在 UHV 腔室内进行约 的热退火，形成了位于 Ge 基座上的有序金纳米结构。当衬底温度保持在约 时，在上述表面进一步沉积了约 2 nm 的 Ge 薄膜。随着小 Ge 岛的形成，金下方的 Ge（基座）高度增加。文中详细讨论了衬底温度的影响以及金在上述结构形成中的作用。通过电子显微镜 (TEM, SEM) 研究确定了 Au-Ge 纳米系统的结构。
引用
@article{arxiv.1208.0238,
title = {Gold assisted molecular beam epitaxy of Ge nanostructures on Ge(100) Surface},
author = {A. Rath and J. K. Dash and R. R. Juluri and A. Ghosh and P. V. Satyam},
journal= {arXiv preprint arXiv:1208.0238},
year = {2017}
}
备注
13 pages, 5 figures. arXiv admin note: substantial text overlap with arXiv:1202.0614