超洁净 Si(100) 表面上 Au-Ge 系统中的纳米尺度相分离
介观与纳米尺度物理
2017-11-27 v1
摘要
我们报道了在超高真空（UHV）条件（\approx 3\times 10^{-10} mbar）下，在洁净 Si(100) 表面上形成叶瓣 - 叶瓣（双叶瓣）Au-Ge 纳米结构的情况。在本研究中，通过分子束外延（MBE）在基底表面生长了厚度约为 2.0 nm 的 Au 样品。随后在 UHV 腔室内于约 500{\deg}C 的温度下进行热退火，形成了平均长度约为 48 nm 的近方形 Au_{x}Si_{1-x} 纳米结构。接着在基底保持约 500{\deg}C 温度的同时，在上述表面进一步沉积了约 2 nm 厚的 Ge 薄膜。最终形成了 Au 和 Ge 并排居住的有序 Au-Ge 纳米结构（叶瓣 - 叶瓣结构）。在我们的系统研究中，我们表明在基底（Si）表面形成金硅化物纳米合金对于形成相分离的 Au-Ge 双叶瓣纳米结构是必要的。进行了电子显微镜（TEM、STEM-EDS、SEM）研究以确定 Au-Ge 纳米系统的结构。卢瑟福背散射谱测量显示金向基底互扩散，而 Ge 则无此现象。
引用
@article{arxiv.1202.0614,
title = {Nano scale phase separation in Au-Ge system on ultra clean Si(100) surfaces},
author = {Ashutosh Rath and J. K. Dash and R. R. Juluri and Marco Schowalter and Knut Mueller and A. Rosenauer and P. V. Satyam},
journal= {arXiv preprint arXiv:1202.0614},
year = {2017}
}
备注
23 pages, 6 Figures, 1 Table