取向金纳米结构的生长：界面氧化物的作用
介观与纳米尺度物理
2017-11-27 v1
摘要
我们报道了在低真空（≈10-2 mbar）和高温（≈975°C）条件下通过退火工艺在Si(100)衬底上形成取向金纳米结构。在Si(100)界面上沉积了不同厚度的金膜，有的带有SiOx（使用高真空热蒸发），有的不带SiOx（使用分子束外延）。进行了电子显微镜测量以确定形貌、结构的取向以及氧化层的性质。发现界面氧化层、低真空和高温退火条件是生长取向金结构所必需的。这些金结构可以通过简单的刮擦方法转移。
引用
@article{arxiv.1203.0819,
title = {Growth of Oriented Au Nanostructures: Role of Oxide at the Interface},
author = {Ashutosh Rath and J. K. Dash and R. R. Juluri and A. Rosenauer and Marcos Schoewalter and P. V. Satyam},
journal= {arXiv preprint arXiv:1203.0819},
year = {2017}
}
备注
13 pages, 3 figures, Accepted in J. Appl. Phys