硅上金纳米结构薄膜中的离子诱导偏析
材料科学
2009-11-13 v1
摘要
我们报道了1.5 MeV Au2+离子轰击沉积在硅上的孤立金纳米结构时，金原子向近表面区域偏析的直接观察。在6.3×10^12 ions cm^-2 s^-1的高束流下，以6×10^13、1×10^14和5×10^14 ions cm^-2的注量进行辐照，金原子向硅衬底中的最大输运距离分别为60、45和23 nm。在较低注量（6×10^13 ions cm^-2）下，输运与硅化金（Au5Si2）的形成有关。在5×10^14 ions cm^-2的高注量下，硅化金的分解和外扩散导致金向富含缺陷的表面和界面区域偏析。
引用
@article{arxiv.0808.0448,
title = {Ion induced segregation in gold nanostructured thin films on silicon},
author = {J. Ghatak and P. V. Satyam},
journal= {arXiv preprint arXiv:0808.0448},
year = {2009}
}
备注
10 pages, 2 figures