金在硅上反应铺展的实时观测
介观与纳米尺度物理
2009-12-18 v3 材料科学
摘要
通过低能电子显微镜实时成像，观察了从钉扎在清洁Si(111)上的金簇向外扩展的双层金膜的铺展。通过监测固定温度下金膜边界的演化，发现铺展半径与时间呈线性关系。在800 < T < 930 K的温度范围内，测得的铺展速度从低于100 pm/s到50 nm/s不等。我们证明，铺展速率受形成硅化金反应的限制，而铺展速度可能由界面处发生的硅化金重构所调节。
引用
@article{arxiv.0912.0761,
title = {Real-Time Observation of Reactive Spreading of Gold on Silicon},
author = {Nicola Ferralis and Farid El Gabaly and Andreas K. Schmid and Roya Maboudian and Carlo Carraro},
journal= {arXiv preprint arXiv:0912.0761},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 4 figures