克服 MOVPE 表面演化不稳定性对 GaAs 上 >1.3 $\mu$m metamorphic 激光器的重要性
应用物理
2021-03-16 v1
摘要
我们研究并演示了一种 1.3 m 波段激光器，其通过金属有机气相外延(MOVPE)生长在专门设计的 metamorphic 抛物线 graded InGaAs 缓冲层及 GaAs 衬底上的外延结构上。底部和上覆包层由 AlInGaAs 和 InGaP 合金以超晶格序列组合构建。此举旨在克服（此前未报道的）有害的表面外延动力学与不稳定性：当在 metamorphic 结构上使用单一合金实现厚层时，表面不稳定性会引发缺陷生成。这一直是 MOVPE 制备 metamorphic 激光器的历史限制因素。我们描述了若干替代策略以获得平滑表面形貌，从而在有源层中获得高效压缩应变 InGaAs 量子阱。所得激光器表现出低激射阈值，对于 500 m 长脊波导器件总斜率效率为 0.34 W/A。发射波长可延伸至 1360 nm。
引用
@article{arxiv.2103.08267,
title = {The importance of overcoming MOVPE surface evolution instabilities for >1.3 $\mu$m metamorphic lasers on GaAs},
author = {Enrica E. Mura and Agnieszka M. Gocalinska and Megan O'Brien and Ruggero Loi and Gediminas Juska and Stefano T. Moroni and James O'Callaghan and Miryam Arredondo and Brian Corbett and Emanuele Pelucchi},
journal= {arXiv preprint arXiv:2103.08267},
year = {2021}
}