薄InAs层在InxAl1-xAs 变分缓冲层上的结构与输运性质
介观与纳米尺度物理
2025-01-24 v1 材料科学
摘要
镓镉砷是一种III-V半导体，具有低电子有效质量、狭小带隙、强自旋轨道耦合以及较大的g因子。这些性质以及其表面费米水平位于导带中，使InAs成为开发超导固态量子器件的理想材料。本文报告了利用分子束外延生长制备的非常薄InAs层，层厜范围为12.5 nm至500 nm，生长于InxAl1-xAs 变分缓冲层上。与InAs衬底不同，这些缓冲层在低温下具有绝缠特性，允许在同一片晶圆上进行多个器件操作，从而具有可扩展性。通过高分辨率X射线衍射考察了InAs层的结构性质，证明了其高晶体质量。此外，测量了其输运性质，包括总载流子浓度、薄膜载流子浓度、薄膜电阻率和载流子迁移率，这些性质在室温下通过范德帕oux实验配置进行测量。采用简单导电模型对表面、 Bulk 和界面对总载流子浓度和迁移率的贡献进行量化。
引用
@article{arxiv.2501.13634,
title = {Structural and Transport Properties of Thin InAs Layers Grown on InxAl1-xAs Metamorphic Buffers},
author = {Giulio Senesi and Katarzyna Skibinska and Alessandro Paghi and Gaurav Shukla and Francesco Giazotto and Fabio Beltram and Stefan Heun and Lucia Sorba},
journal= {arXiv preprint arXiv:2501.13634},
year = {2025}
}