在 Si 衬底上生长的高反射率 III 族氮化物分布布拉格反射镜
应用物理
2020-09-04 v1
摘要
由 AlN/AlGaN 超晶格组成的分布布拉格反射镜（DBRs）生长在 Si (111) 衬底上。首个 Si 上的高反射率 III 族氮化物 DBR 通过将 DBR 直接生长在 Si 衬底上实现，由于 Si/AlN 界面处的高折射率对比，增强了整体反射率。对于 9x DBR，测得的 96.8% 峰值反射率实际上超过了 96.1% 的理论值。AlN/AlGaN 超晶格还起到补偿无裂纹 500 nm GaN / 7x DBR / Si 结构生长过程中产生的大拉伸应变的额外作用。这一成果为制造不透明 Si 衬底中无光吸收的高质量 III 族氮化物光电子器件开辟了可能。
引用
@article{arxiv.2009.01635,
title = {High-reflectance III-nitride distributed Bragg reflectors grown on Si substrates},
author = {M. A. Mastro and R. T. Holm and N. D. Bassim and C. R. Eddy and D. K. Gaskill and R. L. Henry and M. E. Twigg},
journal= {arXiv preprint arXiv:2009.01635},
year = {2020}
}