硅纳米晶中的应变场分析
介观与纳米尺度物理
2009-05-21 v1 材料科学
摘要
应变对纳米结构的光学和电子性质具有关键影响。我们计算了嵌入非晶二氧化硅基质中、直径达3.2 nm的硅纳米晶的原子级应变分布。当用键长与体积应变来表示应变场时，会出现看似矛盾的图像。两种情况下，应变分布均在核心区域表现出均匀行为，但在距纳米晶表面2-3 Å范围内变得不均匀：键长表现为拉伸应变，而体积应变表现为压缩应变。我们通过原子级应变分析调和了它们的共存。
引用
@article{arxiv.0905.3277,
title = {Analysis of Strain Fields in Silicon Nanocrystals},
author = {Dündar E. Yılmaz and Ceyhun Bulutay and Tahir Çağın},
journal= {arXiv preprint arXiv:0905.3277},
year = {2009}
}
备注
Published in Applied Physics Letters Vol. 94, 191914 (2009)