应变场与反铁磁 CrN 的电子结构
材料科学
2017-09-20 v1
摘要
我们对应变在氮化铬晶体电子结构中所起的作用进行了理论分析。我们使用 LSDA+U 计算研究了弹性常数、形变势以及基本带隙附近电子和空穴质量的应变依赖性。我们考虑了据信可描述低温下 CrN 的最低能量反铁磁模型，并沿不同方向施加应变。我们发现所有模型均具有相对较大的形变势，并发现沿大多数方向的拉伸应变会使带隙增大。最有趣的是，我们发现压缩应变在约 1.3% 的中等幅度下应能闭合相对较小的间接带隙（约 100 meV）。我们还发现有效质量随应变发生巨大且各向异性的变化，其主轴与反铁磁体中相邻层的磁序密切相关。考虑这些效应可能对在不同基底上的典型薄膜生长所起的作用，以及在施加应变时监测薄膜光学和输运性质的可能性，将是有意义的。
引用
@article{arxiv.1706.05119,
title = {Strain Fields and the Electronic Structure of Antiferromagnetic CrN},
author = {Tomas Rojas and Sergio E. Ulloa},
journal= {arXiv preprint arXiv:1706.05119},
year = {2017}
}