应变对硒化铁超导体电子结构的影响
超导电性
2016-03-27 v1
摘要
我们从头算研究了各种应变对超导 FeSe 晶体和电子结构的影响。我们认为费米面嵌套随矢量 Q=(0.5,0.5)*(2\pi /a) 的变化对于由自旋涨落 (SF) 介导的超导电性 (SC) 增强至关重要。我们的结果表明，c 轴应变的 FeSe 表现出最不完美的嵌套，从而增强了 SF，进而也增强了 SC。相反，ab 面压缩应变略微削弱了这种嵌套，而拉伸应变则完全破坏了它。这些发现与早先报道的 FeSe 薄膜中超导转变温度对应变依赖性的实验结果一致。
引用
@article{arxiv.1308.2933,
title = {Strain effects on electronic structure of the iron selenide superconductor},
author = {M. J. Winiarski and M. Samsel-Czekała and A. Ciechan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1308.2933},
year = {2016}
}