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半导体核壳纳米线中的应变

介观与纳米尺度物理 2010-06-03 v1

摘要

我们计算了闪锌矿结构核壳纳米线中的应变分布。我们同时使用连续弹性理论和原子模型,并考虑了有限长和无限长纳米线。原子价力场(VFF)模型假设较少,但其计算效率低于有限元(FEM)连续弹性模型。基于这两种模型得到的核壳纳米线应变分布的普遍性质吻合良好。这种吻合表明,尽管在许多情况下基于VFF模型的计算在计算上是可行的,但连续弹性理论足以描述大型核壳纳米线结构中的应变分布。我们发现,除了靠近端部的区域外,无限长纳米线得到的应变分布是有限长纳米线应变分布的极好近似。因此,除非边缘效应重要,否则我们最高效的计算模型——为无限长纳米线开发的有限元连续弹性模型——就足够了。我们对应变分布进行了全面讨论。我们发现核心中的静水应变由轴向应变分量ε\z\z\varepsilon_{\z \z}主导。我们还发现,尽管各个应变分量具有复杂结构,但静水应变显示出更简单的结构。所有面内应变分量大小相近。非平面非对角应变分量(ε\x\z\varepsilon_{\x \z}ε\y\z\varepsilon_{\y \z})很小但不为零。因此,材料不仅被拉伸和压缩,而且还发生扭曲。所使用的模型可推广用于研究纤锌矿纳米线结构以及多层壳纳米线。

关键词

引用

@article{arxiv.1006.0391,
  title  = {Strain in Semiconductor Core-Shell Nanowires},
  author = {Johan Grönqvist and Niels Søndergaard and Fredrik Boxberg and Thomas Guhr and Sven Åberg and H. Q. Xu},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1006.0391},
  year   = {2010}
}