低温下锗同位素的热膨胀
材料科学
2009-11-24 v2 统计力学
摘要
本文聚焦于某些类金刚石半导体中热膨胀的消失。在硅中，热膨胀在T = 122 K时变为零。在锗中，情况不太明确。先前的研究表明，天然锗中在15.5 K处报告了一个零点，且未观察到T > 30 K的第二个零点。本文报告了在四种单同位素锗晶体上测得的数据。所有晶格参数随温度变化的曲线均在40至50 K之间显示一个最小值。对于70Ge，最小值非常深，其热膨胀系数α也表现出反常行为。这些数据与Debernardi和Cardona通过从头算理论获得的结果进行了讨论。部分数据不支持虚晶近似。
引用
@article{arxiv.0910.1569,
title = {Thermal Expansion of Germanium Isotopes at Low Temperature},
author = {R. Colella and B. Reinhart and E. Alp and E. E. Haller},
journal= {arXiv preprint arXiv:0910.1569},
year = {2009}
}
备注
14 pages, 7 figures, Typo in author name corrected