单晶硅从7 K到293 K的热膨胀系数
材料科学
2016-08-08 v1
摘要
我们通过成像Twyman-Green干涉仪在7 K至293 K温度范围内测量了三个单晶硅样品的绝对长度，不确定度约为1 nm。从这些测量中我们提取了热膨胀系数，不确定度在 量级。为了获得长度对温度的函数依赖关系，通常将多项式拟合到数据。相反，我们使用了一个具有物理动机的模型方程，对整个温度范围使用7个拟合参数。热膨胀系数由最佳拟合的导数获得。2012年和2014年进行的测量显示出高度可重复性，并且两个独立制备的样品的一致性支持单晶硅作为热膨胀的参考材料。尽管所有三个样品的结果彼此一致并与其它研究所进行的测量一致，但它们与晶态硅热膨胀的推荐值显著不同。
引用
@article{arxiv.1507.06822,
title = {Thermal expansion coefficient of single crystal silicon from 7 K to 293 K},
author = {Thomas Middelmann and Alexander Walkov and Guido Bartl and René Schödel},
journal= {arXiv preprint arXiv:1507.06822},
year = {2016}
}
备注
article: 7 pages, 5 figures, 1 table; supplemental: 1 page, 1 table