硅中富镓超导层的光学研究
超导电性
2013-01-09 v1 材料科学
摘要
我们对硅中富镓层进行了相位敏感太赫兹（0.12–1.2 THz）透射测量。在超导转变温度T_c = 6.7 K以下，我们发现了超导凝聚体形成和光学谱中能隙打开的清晰特征。伦敦穿透深度λ(T)和凝聚体密度n_s = λ^2(0)/λ^2(T)随温度的变化表现出传统超导体的典型行为，其中λ(0) = 1.8 μm。太赫兹光谱可以在强电子-声子耦合的埃利亚什伯格理论框架内得到很好的描述：零温能隙2Δ(0) = 2.64 meV，2Δ(0)/k_B T_c = 4.6 ± 0.1，与镓的非晶态一致。在略高于T_c的温度下，光学谱呈现德鲁德行为。
引用
@article{arxiv.1206.2515,
title = {Optical study of superconducting Ga-rich layers in silicon},
author = {T. Fischer and A. V. Pronin and R. Skrotzki and T. Herrmannsdörfer and J. Wosnitza and J. Fiedler and V. Heera and M. Helm and E. Schachinger},
journal= {arXiv preprint arXiv:1206.2515},
year = {2013}
}
备注
5 pages, 4 figures