电荷密度波超导体 LaPt$_2$Si$_2$ 中的无节点超导电性
超导电性
2021-01-28 v1
摘要
我们通过测量单晶的伦敦穿透深度偏移 的温度依赖关系与点接触谱，研究了 LaPtSi 的超导能隙结构。 在低温下呈现指数温度依赖，且导出的归一化超流密度 可由单能隙 s 波模型很好描述。点接触电导谱也可由 s 波 Blonder-Tinkham-Klapwijk 模型很好拟合，其中能隙值显示出典型的 BCS 温度与磁场依赖关系，与 II 类超导电性一致。这些结果表明 LaPtSi 中具有完全能隙超导电性，且存在中等强度的电声耦合。
引用
@article{arxiv.2101.11280,
title = {Nodeless superconductivity in the charge density wave superconductor LaPt$_2$Si$_2$},
author = {Z. Y. Nie and L. C. Yin and A. Thamizhavel and A. Wang and B. Shen and L. Q. Che and F. Du and Z. Hossain and M. Smidman and X. Lu and H. Q. Yuan},
journal= {arXiv preprint arXiv:2101.11280},
year = {2021}
}
备注
6 pages, 5 figures