单晶 NbGe2 中的完全超导能隙及 I 类到 II 类超导电性转变

Dongting Zhang; Tian Le; Baijing Lv; Lichang Yin; Chufan Chen; Zhiyong Nie; Dajun Su; Huiqiu Yuan; Zhu-An Xu; Xin Lu

doi:10.1103/PhysRevB.103.214508

单晶 NbGe2 中的完全超导能隙及 I 类到 II 类超导电性转变

超导电性 2021-06-29 v1

作者: Dongting Zhang , Tian Le , Baijing Lv , Lichang Yin , Chufan Chen , Zhiyong Nie , Dajun Su , Huiqiu Yuan , Zhu-An Xu , Xin Lu

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摘要

我们报道了关于单晶 NbGe $_2$ 的机械点接触谱研究，其超导转变温度 $T\rm_c$ = 2.0 - 2.1 K。0.3 K 下的微分电导曲线可被单一能隙 s 波 Blonder-Tinkham-Klapwijk 模型很好地拟合，且温度依赖的能隙遵循标准 Bardeen-Cooper-Schrieffer 行为，在弱耦合极限下给出 $\Delta_0 \sim$ 0.32 meV 与 2 $\Delta_0$ / $k\rm_{B}$ $T\rm_{c}$ = 3.62。在磁场中，0.3 K 下的超导能隙在 $H_{c1}\sim$ 150 Oe 之前保持恒定，并逐渐减小直至 $H_{c2}\sim$ 350 Oe，表明 NbGe $_2$ 在低温下经历了从 I 类到 II 类（可能为 II/1 类）超导体的转变。

关键词

NbGe2 超导能隙点接触谱 I 类到 II 类转变 BCS 理论

引用

@article{arxiv.2106.14419,
  title  = {Full superconducting gap and type-I to type-II superconductivity transition in single crystalline NbGe2},
  author = {Dongting Zhang and Tian Le and Baijing Lv and Lichang Yin and Chufan Chen and Zhiyong Nie and Dajun Su and Huiqiu Yuan and Zhu-An Xu and Xin Lu},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2106.14419},
  year   = {2021}
}

备注

6 pages and 4 figures

单晶 NbGe2 中的完全超导能隙及 I 类到 II 类超导电性转变

摘要

关键词

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备注

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