高压合成金刚石中的锗相关发光中心
材料科学
2015-10-21 v1
摘要
我们报道了具有锗相关发光中心的新型纳米和微晶高质量金刚石的高压合成。在低于80 K的温度下观察到2 eV (602 nm) 发光中的四重线精细结构，表明了金刚石的高品质。我们展示了在602 nm发光精细结构及其振动旁带中的锗和碳同位素位移，这使我们能够明确将该中心与进入金刚石晶格的锗杂质联系起来。我们表明在该中心的电子结构中存在两个分离为0.7 meV的基态能级和两个分离为4.6 meV的激发态能级，并提出了该中心的分裂空位结构。
引用
@article{arxiv.1510.06016,
title = {Luminescent Ge-related centre in high-pressure synthesized diamond},
author = {E. A. Ekimov and S. G. Lyapin and K. N. Boldyrev and M. V. Kondrin and R. Khmelnitskiy and V. A. Gavva and T. V. Kotereva and M. N. Popova},
journal= {arXiv preprint arXiv:1510.06016},
year = {2015}
}