GeSn 缺陷及其对光电性质的影响：一篇综述
应用物理
2024-12-13 v2 材料科学
摘要
GeSn 已成为中红外具有光电功能的有前途半导体，有望替代昂贵的 III-V 技术以实现单片片上硅光子学。过去十年中，实现光电级 GeSn 的多个挑战已成功解决。我们今天站在一场潜在革命的边缘，GeSn 可用于许多光电应用，如光探测与测距（LiDARs）器件和激光器。然而，对材料缺陷的有限理解与控制如今代表了 GeSn 基器件性能的瓶颈，阻碍了其商业化。GeSn 中的点缺陷和线缺陷对其电子性质（即非故意掺杂浓度、载流子寿命和迁移率）有强烈影响，这些最终决定了光电器件的性能。在本综述中，在介绍 GeSn 制备与性质的前沿现状后，我们全面概述了当前对 GeSn 缺陷及其对材料（光）电性质影响的理解。贯穿全文，我们强调了尚待解决的关键点。通过汇集可用的不同制备技术与已实现的表征，我们对 GeSn 领域提供了整体视角，并就如何推进该领域提供了要素。
引用
@article{arxiv.2309.10584,
title = {GeSn Defects and their Impact on Optoelectronic Properties: A Review},
author = {Andrea Giunto and Anna Fontcuberta i Morral},
journal= {arXiv preprint arXiv:2309.10584},
year = {2024}
}