面向中红外成像应用的硅基GeSn光电探测器
应用物理
2019-06-10 v1
摘要
本文报道了对硅基GeSn中红外光电探测器的全面研究，包括：1）展示了一组Sn组分从10.5%到22.3%的光导探测器，表明截止波长已延伸至3.65 um。测得的最大探测率D*为1.1x10^10 cmHz^(1/2)W(-1)，可与商用扩展型InGaAs探测器相媲美；2）基于对暗电流机制的深入分析，开发了光电二极管表面钝化技术，有效降低了暗电流。此外，利用GeSn光电探测器获得了中红外图像，其图像质量与采用商用PbSe探测器获取的图像相当。
引用
@article{arxiv.1906.02848,
title = {Si-based GeSn photodetectors towards mid-infrared imaging applications},
author = {Huong Tran and Thach Pham and Joe Margetis and Yiyin Zhou and Wei Dou and Perry C. Grant and Joshua M. Grant and Sattar Alkabi and Greg Sun and Richard A. Soref and John Tolle and Yong-Hang Zhang and Wei Du and Baohua Li and Mansour Mortazavi and Shui-Qing Yu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1906.02848},
year = {2019}
}
备注
25 pages, 8 figures