用于集成中红外硅光子学的外征光电二极管
光学
2014-06-26 v1
摘要
硅光子学近期被提议用于中红外波长的多种应用，其实现需要片上光电探测器。在平面几何结构中，基于掺杂的外征光导探测器长期以来一直用于中红外探测，其中硅（Si）和锗（Ge）作为宿主材料。利用体相光导探测器中由掺杂诱导的带隙下陷阱态，用于波导集成的中红外探测器，可通过适当选择掺杂剂实现简化的工艺、集成以及在整个中红外波段的工作。特别是，掺锌硅在价带上方形成两个陷阱能级（约 0.3 eV 和约 0.58 eV），已广泛用于低温冷却的体相外征光导探测器。本文报道了锌离子注入硅波导光电二极管在室温下从 2200 nm 到 2400 nm 的工作性能，测得响应度高达 87 mA/W，暗电流低于 10 微安。
引用
@article{arxiv.1406.6420,
title = {Extrinsic Photodiodes for Integrated Mid-Infrared Silicon Photonics},
author = {Richard R. Grote and Brian Souhan and Noam Ophir and Jeffrey B. Driscoll and Keren Bergman and Hassaram Bakhru and William M. J. Green and Richard M. Osgood},
journal= {arXiv preprint arXiv:1406.6420},
year = {2014}
}