硅基黑色 GeSn 用于增强短波红外检测与成像
光学
2024-12-24 v1 应用物理
摘要
灵敏且兼容 CMOS 工艺的集成系数短波红外 (SWIR) 光电探测器 (PD) 对各种新兴应用至关重要。本文开发了一种在硅基上优化的黑色 GeSn 薄膜 PD，专为高效 SWIR 光电探测和成像而设计。通过在 Ge 层中引入 Sn，有效将光电探测波段扩展至 1960 nm。GeSn 表面的黑化处理显著降低了 1200-2200 nm 范围内的反射损失。此外，由于反射损失的降低和载流子电离效应，响应性提升了 1.45 倍。黑色 GeSn 表面显著提升了探测灵敏度，增强了宽视角 SWIR 光电探测，并提高了成像质量。这一示范为在未充分利用的 SWIR 区域应用提供了一套兼容 CMOS、高性能且具有成本效益的黑色 GeSn PD 和成像器，标志着新的时代的到来。
关键词
引用
@article{arxiv.2412.16898,
title = {Black GeSn on Silicon for Enhanced Short-Wave Infrared Detection and Imaging},
author = {Po-Rei Huang and Yue-Tong Jheng and Guo-En Chang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2412.16898},
year = {2024}
}
备注
23 pages, 10 figures