应变松弛的绝缘体上GeSn（GeSnOI）微盘
光学
2021-09-08 v1 应用物理
摘要
GeSn合金为CMOS兼容光源和电子-光子集成芯片的实现提供了一条有前景的途径。提高GeSn激光器性能的一种策略是使用高Sn含量，这可以提高直接带隙特性。另一种流行的方法是使用低到中等Sn含量，结合压缩应变松弛或拉伸应变工程，但这些应变工程技术通常要求光学腔悬浮在空气中，导致热管理较差。在这项工作中，我们开发了一种新颖的双绝缘层GeSn-on-Insulator（GeSnOI）材料平台，用于生产附着在衬底上的应变松弛GeSn微盘。通过仅刻蚀一个绝缘层（即Al2O3），我们制造了位于SiO2上的微盘，该微盘获得了高性能GeSn激光器的三个关键特性：去除有害的压缩应变、良好的热管理和优异的光学限制。我们相信，在我们的平台上增加GeSn层的Sn含量可以实现改进的激光性能。
引用
@article{arxiv.2108.01334,
title = {Strain-relaxed GeSn-on-Insulator (GeSnOI) microdisks},
author = {Daniel Burt and Hyo-Jun Joo and Yongduck Jung and Youngmin Kim and Yi-Chiau Huang and Donguk Nam},
journal= {arXiv preprint arXiv:2108.01334},
year = {2021}
}
备注
9 pages, 5 Figures, Journal paper