AlGaAs/GeSn p-i-n 二极管与超薄 Al₂O₃ 的界面
应用物理
2024-08-19 v1 材料科学
摘要
本研究展示了通过嫁接法制备的 Al₀.₃Ga₀.₇As/Ge₀.₈₇Sn₀.₁₃/GeSn p-i-n 双异质结构（DHS）二极管的制备与表征。通过集成超薄 Al₂O₃ 作为量子隧穿层并增强界面双面钝化，我们实现了 AlGaAs 与 GeSn 之间具有显著 1.186 eV 导带势垒以及低界面态密度的异质结构。该二极管展现出令人印象深刻的电气特性，包括高均匀性，326 个器件的平均理想因子为 1.47，平均整流比为 2.95×10³（在 ±2 V 下），表明器件制备质量高。全面的电气表征，包括 C-V 和 I-V 剖面分析，证实了该二极管提供稳健电气约束和高效载流子注入的能力。这些特性使 Al₀.₃Ga₀.₇As/Ge₀.₈₇Sn₀.₁₃/GeSn DHS 成为下一代电泵浦 GeSn 激光器的有前景候选器件，可能在更高温度下工作。我们的结果为 GeSn 基器件的进一步发展提供了可行路径。
引用
@article{arxiv.2408.08451,
title = {AlGaAs/GeSn p-i-n diode interfaced with ultrathin Al$_2$O$_3$},
author = {Yang Liu and Yiran Li and Sudip Acharya and Jie Zhou and Jiarui Gong and Alireza Abrand and Yi Lu and Daniel Vincent and Samuel Haessly and Parsian K. Mohseni and Shui-Qing Yu and Zhenqiang Ma},
journal= {arXiv preprint arXiv:2408.08451},
year = {2024}
}
备注
5 pages, 4 figures