用于硅兼容光电子学的张应变绝缘体上锗衬底制备
光学
2011-09-20 v2
摘要
我们提出了一种利用异质外延和层转移技术制备张应变绝缘体上锗（GOI）衬底的方法。其动机是获得一个适合硅兼容光电子器件制造的高质量晶圆级GOI平台。晶体质量通过X射线衍射（XRD）和透射电子显微镜进行评估。XRD验证了0.16%的双轴薄膜张应变。通过制造和表征在1.55 μm以外表现出光响应的金属-半导体-金属光电探测器，证明了其对器件制造的适用性。该衬底制备工艺与互补金属氧化物半导体制造兼容，代表了硅兼容光电子学晶圆级集成的一条潜在途径。
引用
@article{arxiv.1105.0044,
title = {Tensile-Strained Germanium-on-Insulator Substrate Fabrication for Silicon-Compatible Optoelectronics},
author = {J. Raja Jain and Dany-Sebastien Ly-Gagnon and Krishna C. Balram and Justin S. White and Mark L. Brongersma and David A. B. Miller and Roger T. Howe},
journal= {arXiv preprint arXiv:1105.0044},
year = {2011}
}