硅衬底上生长的锗薄膜中直接与间接光学复合的比较
材料科学
2015-05-28 v1 其他凝聚态物理
摘要
硅衬底上生长的锗薄膜的光发射光谱与块体锗材料的光谱显著不同。块体锗的发射主要受其间接带隙主导，而锗薄膜的光致发光信号则主要与其直接带隙相关。利用一种通过近期引入的化学气相沉积方法生长的新型锗硅薄膜，我们研究了本征和掺杂样品的直接与间接光致发光，并得出结论：这种差异的根源在于薄膜中缺乏自吸收，同时导带偏离准平衡条件。后者通过一个简单模型得到证实，该模型表明，与块体锗相比，薄膜中更短的复合寿命是导致偏离准平衡的原因。
引用
@article{arxiv.1106.3300,
title = {Direct vs. indirect optical recombination in Ge films grown on Si substrates},
author = {G. Grzybowski and R. Roucka and J. Mathews and R. T Beeler and J. Kouvetakis and J. Menéndez},
journal= {arXiv preprint arXiv:1106.3300},
year = {2015}
}