通过逆能带结构设计方法迈向直接带隙硅相
材料科学
2013-03-18 v1
摘要
金刚石硅 (Si) 是当前太阳能电池市场的主导材料。然而，金刚石硅是一种间接带隙半导体，其直接带隙与间接带隙之间存在较大的能量差 (2.4 eV)，这使其成为低效的光吸收体。在本工作中，我们开发了一种基于粒子群优化算法的新型逆能带结构设计方法，以预测具有比金刚石硅更好光学性质的亚稳态 Si 相。利用我们的新方法，我们预测了一种具有 1.55 eV 准直接带隙的立方 Si20 相，这是制造薄膜太阳能电池的有希望的候选者。
引用
@article{arxiv.1211.0591,
title = {Towards Direct-Gap Silicon Phases by the Inverse Band Structure Design Approach},
author = {H. J. Xiang and Bing Huang and Erjun Kan and Su-Huai Wei and X. G. Gong},
journal= {arXiv preprint arXiv:1211.0591},
year = {2013}
}
备注
submitted to Phys. Rev