面向光电应用的硅基层状结构预测
材料科学
2015-01-20 v1
摘要
本文提出了一种基于粒子群优化 (PSO) 算法的方法来设计准二维 (Q2D) 材料。利用这一进展，预测了 C、Si、Ge、Sn 和 Pb 中的多种单层和双层材料。发现一种新的 Si 双层结构具有比先前广泛接受的构型更有利的能量。单层和双层 Si 材料均具有较小的带隙，限制了它们在光电应用中的使用。因此，氢化已被用于调节 Si 层的电子和光学性质。我们发现了两种氢化材料层状 Si8H2 和 Si6H2，它们分别具有 0.75 eV 和 1.59 eV 的准直接带隙。文中提出并讨论了它们在发光二极管和光伏领域的潜在应用。我们的研究开启了氢化 Si 层状材料作为下一代光电器件的可能性。
引用
@article{arxiv.1501.04261,
title = {Prediction of Silicon-Based Layered Structures for Optoelectronic Applications},
author = {Wei Luo and Yanming Ma and Xingao Gong and Hongjun Xiang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1501.04261},
year = {2015}
}
备注
21 pages,6 figures, 1 tabel