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具有显著稳定性的直接及准直接带隙硅同素异形体

材料科学 2017-01-19 v1

摘要

在我们当前的工作中,五种先前提出的sp3^3碳晶体被建议作为硅同素异形体,并通过第一性原理方法研究了它们的稳定性、电子和光学性质。我们发现这些带隙在1.2-1.6 eV范围内的直接带隙或准直接带隙同素异形体非常适合用于薄膜太阳能电池。与金刚石硅相比,它们在太阳光的可见光范围内显示出强吸附系数。这五种硅同素异形体被确认具有正的动力学稳定性和接近金刚石硅的显著热力学稳定性。特别是,直接带隙M585-硅每个原子能量仅比金刚石硅高25 meV,有望被实验制备用于薄膜太阳能电池。

关键词

引用

@article{arxiv.1506.03224,
  title  = {Direct and quasi-direct band gap silicon allotropes with remarkable stability},
  author = {Chaoyu He and Jin Li and xiangyang Peng and Lijun Meng and Chao Tang and Jianxin Zhong},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1506.03224},
  year   = {2017}
}

备注

5 pages, 5 figures and 1 table