基于晶体硅中部分非晶化Ge量子点的高效室温发光器
介观与纳米尺度物理
2016-03-24 v1
摘要
与标准硅集成技术(SIT)兼容的半导体发光器对于克服微电子器件工作速度的限制特别有意义。基于IV族元素的光源将与SIT兼容，但受块体Si和Ge的光电性质差的困扰。在这里，我们证明，如果在完全共格的Si矩阵中外延生长的Ge量子点(QDs)通过Ge离子轰击(GIB)部分非晶化，则显示出非凡的光学性质。GIB-QDs表现出准直接带隙，并且与常规SiGe纳米结构相反，直到室温(RT)光致发光(PL)几乎无热淬灭。具有嵌入GIB-QDs的微盘谐振器表现出阈值行为以及积分PL强度(IPL)随激发功率Pexc超线性增加，这表明在完全SIT兼容的IV族纳米系统中通过受激发射实现光放大。
引用
@article{arxiv.1505.03380,
title = {Efficient room-temperature light-emitters based on partly amorphised Ge quantum dots in crystalline Si},
author = {M. Grydlik and F. Hackl and H. Groiss and M. Glaser and A. Halilovic and T. Fromherz and W. Jantsch and F. Schäffler and M. Brehm},
journal= {arXiv preprint arXiv:1505.03380},
year = {2016}
}