通过纳米空洞捕获位错实现低成本Ge/Si虚拟衬底
材料科学
2018-05-16 v1
摘要
提出了一种在硅（Si）衬底上生长的松驰锗（Ge）外延层中降低穿透位错密度（TDD）的低成本方法。对Ge/Si衬底进行外延后处理，在Ge层中产生高密度纳米空洞区域，该区域充当穿透位错传播的屏障。
引用
@article{arxiv.1805.05621,
title = {Low cost Ge/Si virtual substrate through dislocation trapping by nanovoids},
author = {Youcef A. Bioud and Abderraouf Boucherif and Etienne Paradis and Ali Soltani and Dominique Drouin and Richard Arès},
journal= {arXiv preprint arXiv:1805.05621},
year = {2018}
}