介孔图形化硅上微晶的无缺陷应变弛豫
材料科学
2022-11-23 v1 应用物理
摘要
理想的顺从衬底可实现Ge及III-V等高质量半导体材料在硅(Si)衬底上的单片集成，从而在成熟低成本的Si技术平台上实现新功能。本文展示了一种顺从Si衬底，可实现晶格失配材料的无缺陷外延生长。该方法基于对Si衬底的深图形化以形成微米级柱体，随后进行电化学多孔化。通过X射线衍射、透射电子显微镜及蚀刻坑计数对外延Ge晶体质量的研究表明，无缺陷微晶实现了完全弹性弛豫。无位错异质外延的实现依赖于多孔微柱的弹性变形（由Ge与Si间晶格失配施加应力）与Ge向介孔图形化衬底扩散（从而衰减Ge/Si界面处失配应变）之间的相互作用。
引用
@article{arxiv.2203.14839,
title = {Defect free strain relaxation of microcrystals on mesoporous patterned silicon},
author = {Alexandre Heintz and Bouraoui Ilahi and Alexandre Pofelski and Gianluigi Botton and Gilles Patriarche and Andrea Barzaghi and Simon Fafard and Richard Arès and Giovanni Isella and Abderraouf Boucherif},
journal= {arXiv preprint arXiv:2203.14839},
year = {2022}
}
备注
27 pages and 4 figures along with 11 figures in supplementary information