碳化硅在（100）金刚石上的外延生长
材料科学
2020-02-19 v1 计算物理
摘要
我们展示了碳化硅（SiC）在金刚石上的局部共格外延生长，这一结果有悖于当前对异质结的认识，因其晶格失配超过 。高分辨透射电子显微镜（HRTEM）证实了界面附近的质量与原子结构。在分子动力学模拟指导下，我们提出一种界面理论模型，其中大的晶格应变通过二维平面上的点位错得以缓解，而不在三维中形成扩展缺陷。实现 SiC 等与关键技术相关的材料同金刚石的异质结，为高功率电子器件的散热管理提供了有前景的途径。在基础层面，该研究重新定义了我们对大晶格失配异质结构形成的理解。
引用
@article{arxiv.2002.07314,
title = {Epitaxial growth of SiC on (100) Diamond},
author = {A. Tsai and A. Aghajamali and N. Dontschuk and B. C. Johnson and M. Usman and A. K. Schenk and M. Sear and C. I. Pakes and L. C. L. Hollenberg and J. C. McCallum and S. Rubanov and A. Tadich and N. A. Marks and A. Stacey},
journal= {arXiv preprint arXiv:2002.07314},
year = {2020}
}
备注
16 pages, 4 figures