SiC/Si(001) 界面失配位错的从头算研究

Giancarlo Cicero; Laurent Pizzagalli; Alessandra Catellani

doi:10.1103/PhysRevLett.89.156101

SiC/Si(001) 界面失配位错的从头算研究

材料科学 2007-09-12 v1

作者: Giancarlo Cicero , Laurent Pizzagalli , Alessandra Catellani

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摘要

采用经典分子动力学与从头算分子动力学相结合的方法，研究了高晶格失配的 SiC/Si(001) 界面。在分析的多种构型中，发现钉扎在界面处的位错网络是释放应变最有效的机制。文中详细描述了位错核心，并讨论了最稳定几何构型下的相关电子性质：我们发现隙中局域化的界面态可能是电子器件失效的根源。

关键词

dislocation dynamics oxide interfaces point defects in solids

引用

@article{arxiv.0709.1585,
  title  = {Ab initio Study of Misfit Dislocations at the SiC/Si(001) Interface},
  author = {Giancarlo Cicero and Laurent Pizzagalli and Alessandra Catellani},
  journal= {arXiv preprint arXiv:0709.1585},
  year   = {2007}
}

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