错位与线程位错对 PbTe-PbSe 界面表面能的影响
材料科学
2026-03-05 v3 计算物理
摘要
本工作量化了错位和线程位错对 PbTe-PbSe 界面表面能的影响，界面位错结构通过原子尺度和多尺度仿真其制造过程获得。仿真结果表明，直接键合可产生具有二维错位位错网络的半相干界面，而异质生长过程可产生具有两种错位和线程位错的复杂三维位错结构。通过计算跨越这些界面之间的相互作用能，确定了这些界面的表面能。与相干界面相比，直接键合界面表面能可降低约23%，而生长于异质晶体的界面表面能可降低近50%。这些结果表明位错对界面能具有显著影响。
引用
@article{arxiv.2511.07182,
title = {Effect of Misfit and Threading Dislocations on Surface Energies of PbTe-PbSe Interfaces},
author = {Emir Bilgili and Nicholas Taormina and Yang Li and Adrian Diaz and Simon R. Phillpot and Youping Chen},
journal= {arXiv preprint arXiv:2511.07182},
year = {2026}
}
备注
10 pages, 3 figures, 1 graphical abstract