InGaN/GaN 界面处 (a+c) 失配位错的分解
应用物理
2023-10-19 v1
摘要
六方材料中的 (a+c) 位错通常观察到分解为部分位错。刃型 (a+c) 位错通过塑性弛豫过程引入 (0001) 氮化物半导体层。由于人们对获取弛豫 InGaN 缓冲层以沉积高 In 含量结构的兴趣日益增加，研究位于 InGaN/GaN 界面的失配 (a+c) 位错的分解机制对于理解其形核和滑移机制至关重要。在所呈现的沉积于 GaN 衬底上的塑性弛豫 InGaN 层中，我们观察到 (a+c) 位错的三方网络在界面处延伸，并从 <1-100> 方向旋转 3 度。高分辨率显微镜研究表明，这些位错分解为两个 Frank-Shockley 1/6<2-203> 部分位错，其间扩展有 I1 BSF。对分解刃型 (a+c) 位错的原子模拟揭示两个部分位错核均为 3/5 原子环结构。观察到的两个部分位错之间的分离必然源于分解过程中至少一个位错的攀移，可能由 InGaN 层中的失配应力诱发。
引用
@article{arxiv.2310.11849,
title = {The dissociation of (a+c) misfit dislocations at the InGaN/GaN interface},
author = {J. Smalc-Koziorowska and J. Moneta and G. Muziol and W. Chrominski and R. Kernke and M. Albrecht and T. Schulz and I. Belabbas},
journal= {arXiv preprint arXiv:2310.11849},
year = {2023}
}
备注
This is a submitted version of the manuscript published in Journal of Microscopy