由浅埋置错位网络引起 III-V 半导体纳米结构的远距离有序
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
我们解释了 III-V 纳米结构的横向有序现象，这种有序性来源于在 GaAs 基底上沿着 GaAs/InAs/InGaAs/GaAs 序列生长的金属有机蒸发成长工艺。通过两种不同的生长温度获得的样品均表现出相同的有序结构，这种有序性是由浅埋置的周期性置错网络（DN）的应力场所致。该DN是一种晶界（GB），它形成于薄GaAs层（其上进行生长）与GaAs衬底之间，通过键合方式将两者连接起来，以容纳两者之间的倾斜和扭转——这两种误倾角均以受控方式施加。该晶界由混合型置错的一维网络和螺旋置错的一维网络组成。通过电子透射显微镜（TEM）和原子力显微镜（AFM）观察到的纳米结构，其有序程度与DN的细胞尺寸和取向一致。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0411720,
title = {Long-range ordering of III-V semiconductor nanostructures by shallowly buried dislocation networks},
author = {Jose Coelho and Gilles Patriarche and Frank Glas and Guillaume Saint-Girons and Isabelle Sagnes},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0411720},
year = {2007}
}