ZnO/ZnMgO核壳纳米线中位错滑移引起的应变弛豫
材料科学
2012-05-10 v1
摘要
核壳半导体纳米线中失配应力的塑性弛豫会导致结构缺陷，不利于应用。在ZnO纳米线上沉积了Zn0.7Mg0.3O/ZnO量子阱异质结构。纤锌矿结构沿a轴和c轴的应变通过从自由表面开始的位错半环在锥面和棱面内的滑移而弛豫。一些半环在势垒中闭合，以适应量子阱堆叠两个连续界面处的失配。在纳米线核心内部也观察到位错：与二维结构相反，核心和壳层都可以发生塑性弛豫。
引用
@article{arxiv.1205.1896,
title = {Strain relaxation by dislocation glide in ZnO/ZnMgO core-shell nanowires},
author = {Guillaume Perillat-Merceroz and Robin Thierry and Pierre-Henri Jouneau and Pierre Ferret and Guy Feuillet},
journal= {arXiv preprint arXiv:1205.1896},
year = {2012}
}
备注
4 pages