GaN 衬底偏切对 InGaN 塑性弛豫 XRD 定量的影响
材料科学
2024-09-17 v2
摘要
为了开发用于沉积 InGaN 量子阱 (QWs) 和高 In 含量 InGaN 层的 InGaN 模板技术，本文研究了厚 InGaN 层的应变弛豫。在本文中，我们展示了生长在取向偏离 (0001)-GaN 衬底上的 InGaN 层通过优先激活某些滑移面形成失配位错来实现弛豫。衬底取向偏离改变了分解剪应力，影响了每个位错组内失配位错的分布。我们证明了该机制导致各向异性应变以及 InGaN 层相对于 GaN 衬底的倾斜。这些现象在沿 <11-20> 方向偏切的衬底上生长的结构中似乎比沿 <-1100> 方向偏切的相应结构更为显著。这些特征将影响外延生长的 InGaN 量子阱的性质，在设计生长于弛豫 InGaN 模板上的结构时应予以考虑。我们揭示了部分弛豫的 InGaN 晶格具有三斜变形，因此需要高级 XRD 分析。文献中通常仅给出单一非对称倒易空间图的做法，可能会对部分弛豫纤锌矿结构的弛豫状态提供误导信息。
引用
@article{arxiv.2403.02213,
title = {Influence of GaN substrate miscut on the XRD quantification of plastic relaxation in InGaN},
author = {J. Moneta and M. Krysko and J. Z. Domagala and E. Grzanka and G. Muziol and M. Siekacz and M. Leszczynski and J. Smalc-Koziorowska},
journal= {arXiv preprint arXiv:2403.02213},
year = {2024}
}
备注
29 pages, 6 figures, 3 tables,