在 ZnO {0001} 面上生长的 InN 及 GaN/InN 单原子层
材料科学
2018-10-17 v1
摘要
通过等离子体辅助分子束外延（PAMBE）在氧极性（O）（000-1）和锌极性（Zn）（0001）氧化锌（ZnO）上生长了薄层 InN 和 GaN/InN 薄膜。利用反射高能电子衍射（RHEED）原位以及原子力显微镜（AFM）非原位研究了生长速率（GR）和衬底极性对 InN 及 GaN/InN 生长模式和表面形貌的影响。在 InN 沉积过程中，RHEED 观察到从二维到三维（2D-3D）生长模式的转变。弛豫临界厚度随 GR 降低而增加，在 O-ZnO 上从 0.6 ML（GR：1.0 ML/s）变化到 1.2 ML（GR：0.2 ML/s），在 Zn-ZnO 上从 1.2 ML（GR：0.5 ML/s）变化到 1.7 ML（GR：0.2 ML/s）。在 1.2 ML 和 1.5 ML 厚 InN 上生长 GaN 的弛豫临界厚度，在 O-ZnO 上接近于零，在 Zn-ZnO 上分别为 1.6 ML。
引用
@article{arxiv.1805.11495,
title = {InN and GaN/InN monolayers grown on ZnO {0001}},
author = {Torsten Ernst and Caroline Chèze and Raffaella Calarco},
journal= {arXiv preprint arXiv:1805.11495},
year = {2018}
}
备注
18 pages, 3 figures, The following article has been submitted to JOURNAL OF APPLIED PHYSICS