混合倒易点阵：在图案化衬底GaAlN/GaN(0001)系统中层应力测定中的应用
材料科学
2016-03-03 v1
摘要
半导体外延是应用科学和光电子工业中极其重要的过程。控制外延生长过程中引入的缺陷是制造高效率和耐用器件的关键点。在这项工作中，我们展示了混合反射在研究由于图案化衬底引起的各向异性应变梯度的外延结构时是多么有用。检测和区分弹性与塑性弛豫的高精度是测量此类反射的最大优势之一，并且事实上它可以在商业高分辨衍射仪的对称反射几何中加以利用。
引用
@article{arxiv.1603.00793,
title = {Hybrid reciprocal lattice: application to layer stress appointment in GaAlN/GaN(0001) systems with patterned substrates},
author = {Jarosław Z. Domagała and Sérgio L. Morelhão and Marcin Sarzyński and Marcin Maździarz and Paweł Dłużewski and Michał Leszczyński},
journal= {arXiv preprint arXiv:1603.00793},
year = {2016}
}
备注
23 pages, double spaced, 9 color figures, and 1 table