SiGe 拉曼光谱与局部团簇/反团簇：渗流方案与第一性原理计算
材料科学
2013-07-29 v1
摘要
我们在沿线性链近似即一维 (1D) 运行的渗流方案框架内形式化了拉曼散射的一种内在能力，即定量洞察合金中的局部团簇或反团簇，并以 SiGe 为案例研究。为此，我们推导了六个 SiGe 渗流型振子 [1(Ge-Ge), 3(Si-Ge), 2(Si-Si)] 各自分数的通用表达式，这些振子通过相关序参量 k 直接监测拉曼强度。这是通过将 Verleur 和 Barker 最初用于其适用于闪锌矿合金的一维团簇方案的三维 (3D) 振子的方法 [H.W. Verleur 和 A.S. Barker, Phys. Rev. 149, 715 (1966)] 适配到 SiGe 金刚石结构的一维振子而引入的，即采用完全一致的 1D 处理，而原方法实际上因其 3D 与 1D 的模棱两可而存在一些问题。我们将 SiGe (50 at.%Si) 拉曼谱线之间依赖于 k 的预测强度相互作用与现有实验数据以及使用匹配所需 k 值的大型（32 原子）无序超胞获得的第一性原理拉曼光谱进行了对比，特别关注了 Si-Ge 三重峰和 Si-Si 双重峰。
引用
@article{arxiv.1304.7970,
title = {SiGe Raman spectra vs. local clustering/anticlustering : Percolation scheme and ab initio calculations},
author = {Olivier Pages and Rami Hajj Hussein and Vitor J. B. Torres},
journal= {arXiv preprint arXiv:1304.7970},
year = {2013}
}
备注
20 pages, 6 figures