具有能带反转结的量子阱中带隙的电控
介观与纳米尺度物理
2017-11-16 v2
摘要
在具有能带反转的 IV-VI 半导体异质结（如由 PbSnTe 或 PbSnSe 制成的那些）中，界面态由两能带模型恰当描述，预测在单一结中出现狄拉克锥。然而，在量子阱中，界面色散在动量上是二次的，能谱呈现一个带隙。我们展示界面带隙在平行于生长方向的电场下缩小。因此，界面带隙可以在基于能带反转化合物的双栅极量子阱实验中动态调控。
引用
@article{arxiv.1707.04154,
title = {Electric control of the bandgap in quantum wells with band-inverted junctions},
author = {A. Diaz-Fernandez and Leonor Chico and F. Dominguez-Adame},
journal= {arXiv preprint arXiv:1707.04154},
year = {2017}
}