电场与磁场下能带反型结中的稳健中隙态
介观与纳米尺度物理
2018-05-28 v1
摘要
若干由重原子构成的 IV-VI 族半导体化合物，如 PbSnTe，在其化学组分变化时可能在布里渊区 点发生能带反型。这种反型产生了拓扑上不同的相，其特征为拓扑不变量的改变。在 理论框架下，能带反型可视为基本能隙符号的改变。包络函数近似下的两能带模型预言，在能带反型结（即能隙沿生长方向变号）中会出现具有狄拉克锥色散的中隙界面态。我们深入研究了在交叉电场与磁场存在下这些界面电子态，其中电场沿能带反型结的生长方向施加。我们表明该狄拉克锥是稳健的，即便在强场下也持续存在。此外，我们指出位于半导体能带中的电子态的朗道能级可由电场调控。因此，利用本文所研究的特性，可调谐器件很可能得以实现。
引用
@article{arxiv.1804.09686,
title = {Robust midgap states in band-inverted junctions under electric and magnetic fields},
author = {A. Diaz-Fernandez and N. del Valle and F. Dominguez-Adame},
journal= {arXiv preprint arXiv:1804.09686},
year = {2018}
}