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狄拉克半金属中的 $4\pi$ 周期安德烈夫束缚态

超导电性 2018-10-17 v1 介观与纳米尺度物理

摘要

狄拉克半金属中的电子在所有三个空间维度上具有线性色散,并构成了新兴量子材料平台的一部分。Bi1x_{1-x}Sbx_x 在Sb诱导的能带反转点处支持三维狄拉克锥。纳米尺度相位敏感结技术被用于在该狄拉克半金属中诱导超导性。射频辐照实验揭示了在 Nb-Bi0.97_{0.97}Sb0.03_{0.03}-Nb 约瑟夫森结中,4π\pi 周期安德烈夫束缚态对超电流的显著贡献。由于狄拉克锥对背散射的拓扑保护提供了非常宽的透射共振,使得 4π4\pi 对超电流的实质性贡献条件有利。施加在结平面内的磁场的塞曼效应的大g因子,允许将约瑟夫森结从0调控到 π\pi 态。

关键词

引用

@article{arxiv.1707.03154,
  title  = {$4\pi$ periodic Andreev bound states in a Dirac semimetal},
  author = {Chuan Li and Jorrit C. de Boer and Bob de Ronde and Shyama V. Ramankutty and Erik van Heumen and Yingkai Huang and Anne de Visser and Alexander A. Golubov and Mark S. Golden and Alexander Brinkman},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1707.03154},
  year   = {2018}
}

备注

Supplementary information is included