真空光子在封闭半导体腔中诱导的能隙
介观与纳米尺度物理
2014-11-21 v2 量子物理
摘要
我们在理论上研究了一种封闭（零维）半导体微腔，其中受限的真空光子模式与半导体价带中的电子耦合。研究表明，真空诱导的价带与导带之间的虚电子跃迁会导致电子能谱的重整化。其结果是，价带内出现了真空诱导的能隙。计算得出的能隙值处于亚 meV 量级，使得该量子电动力学效应在最先进的实验中可被测量。
引用
@article{arxiv.1410.1829,
title = {Band gaps induced by vacuum photons in closed semiconductor cavities},
author = {O. V. Kibis and K. B. Arnardottir and I. A. Shelykh},
journal= {arXiv preprint arXiv:1410.1829},
year = {2014}
}
备注
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