界面无序对 SiGe/Si/SiGe 量子阱中谷劈裂的影响
材料科学
2012-03-07 v2 量子物理
摘要
Si/SiGe 界面处的尖锐势垒引入了谷劈裂（VS），它解除了应变 SiGe/Si/SiGe 量子阱（QW）中的二重谷简并。本工作基于统计抽样，采用原子级紧束缚方法详细研究了 Si/SiGe 界面无序对 VS 的影响。VS 被分析为电场、QW 厚度和模拟域尺寸的函数。强电场将电子波函数推入 SiGe 缓冲层，并引入显著的器件间 VS 涨落。一项关于有序合金的思想实验揭示了不同键合构型对 VS 的重要性。我们得出结论：单一的 SiGe 带阶和有效质量无法涵盖主导 VS 的复杂 Si/SiGe 界面相互作用。
引用
@article{arxiv.1110.4097,
title = {Effects of Interface Disorder on Valley Splitting in SiGe/Si/SiGe Quantum Wells},
author = {Zhengping Jiang and Neerav Kharche and Timothy Boykin and Gerhard Klimeck},
journal= {arXiv preprint arXiv:1110.4097},
year = {2012}
}
备注
5 figures