具有振荡 Ge 浓度的 Si 层中增强的谷分裂
量子物理
2022-08-31 v1 应用物理
摘要
Si 量子比特器件中的谷简并对它们在量子信息处理中的应用带来了问题。利用 Wiggle Well 架构可以解除这种简并，其中振荡的 Ge 浓度使谷间耦合。本文给出该现象的基本理论，并结合经验赝势理论进行模型计算，以获得该效应的总体大小及其对浓度振荡波长的依赖关系。我们推导了一个重要的选择定则，它在某些情形下会限制 Wiggle Well 的有效性。
引用
@article{arxiv.2206.08331,
title = {Enhanced Valley Splitting in Si Layers with Oscillatory Ge Concentration},
author = {Yi Feng and Robert Joynt},
journal= {arXiv preprint arXiv:2206.08331},
year = {2022}
}
备注
12 pages, 4 figures