通过剪切应变与 Ge 浓度振荡耦合 SiGe 异质结构中的导带谷

设计导带谷耦合是硅基自旋量子比特的关键挑战。近期工作表明，增强谷耦合最可靠的方法是在量子阱中添加 Ge 浓度振荡。然而，超短振荡周期难以生长，而长振荡周期不能提供有用的改进。本文中，我们展示可通过涉及由剪切应变诱导的布里渊区折叠的二阶耦合过程，在长波结构中实现短波长振荡的主要益处。我们最后表明，此类应变可通过常见制备技术实现，这使其成为一种极具前景的可扩展量子计算系统。